LED láser IR 980nm SMD7070 980nm y 12 W
Características:
- Chip de matriz VCSEL
- Baja deriva de longitud de onda
- Baja corriente umbral
- Alta fiabilidad, Fácil de colimar
- Alta eficiencia de conversión electro-óptica
- Baja generación de calor, protección del medio ambiente y bajas emisiones de carbono
- Encapsulado plano, tamaño reducido, vida útil > 50.000h
- Ancho de banda de modulación > 1Gbps
- Aplicación: Comunicación por fibra óptica (bombeo EDFA), LiDAR de medio/largo alcance seguro para los ojos, sistemas militares.
- Solución personalizada: Podemos ofrecer soluciones LED a medida; si necesita asistencia, no dude en contactarnos.
Cantidad:
¡Modelo de producto copiado al portapapeles!
Dimensiones del encapsulado (mm)
Especificaciones:
Nota: Este parámetro es un parámetro de un solo chip, el producto tiene 4 chips en paralelo, corriente de trabajo*4.
| Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Threshold Current | Ith | T=50°C | 0.45 | A | ||
| Operating Voltage | VF | T=50°C，Iop=3.5A | 1.75 | 2.0 | V | |
| Series Resistance | Rs | T=50°C | 0.19 | Ω | ||
| Slope Efficiency | η | T=50°C | 0.9 | W/A | ||
| Output Power | LOP | T=50°C, Iop=3.5A | 2.5 | 2.9 | W | |
| Beam Divergence | θFW1/e 2 | T=50°C, Iop=3.5A | 23 | deg. | ||
| Emission Wavelength | λp | Iop=3.5A | 970 | 980 | 990 | nm |
| Conversion efficiency | PCE | T=50°C | 37 | % |
