SMD7070 850nm 8 W Laser IR LED
Merkmale:
- VCSEL-Array-Chip
- Geringe Wellenlängendrift
- Geringer Schwellenstrom
- Hohe Zuverlässigkeit, Leicht zu kollimieren
- Hohe elektro-optische Umwandlungseffizienz
- Geringe Wärmeentwicklung, Umweltschutz und kohlenstoffarm
- Flachgehäuse, kompakte Bauform, Lebensdauer > 50.000h
- Modulationsbandbreite > 1 Gbit/s
- Anwendung: Unterhaltungselektronik (z. B. 3D-Sensorik für Mobiltelefone), Hochgeschwindigkeits-Bildverarbeitung, Kurzstrecken-LiDAR.
- Kundenspezifische Lösung: Wir können kundenspezifische LED-Lösungen anbieten. Wenn Sie Unterstützung benötigen, kontaktieren Sie uns bitte.
Menge:
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Gehäuseabmessungen (mm)
Spezifikationen:
Hinweis: Dieser Parameter ist ein Einzelchip-Parameter, das Produkt besteht aus 4 parallel geschalteten Chips, Arbeitsstrom * 4.
| Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Threshold Current | Ith | T=25°C | 0.5 | A | ||
| Operating Voltage | VF | T=25°C，Iop=3.0A | 2.0 | V | ||
| Series Resistance | Rs | T=25°C，Slope=20-80% | 0.3 | Ω | ||
| Slope Efficiency | η | T=25°C，Slope=20-80% | 0.85 | W/A | ||
| Output Power | LOP | T=25°C, I=3.0A | 2.0 | W | ||
| Beam Divergence | 2θ1/2 | T=25°C, I=2.4A | 22 | deg. | ||
| Spectral width | Po | T=25-85°C, I=2.4A | 1.5 | nm | ||
| Peak Wavelength | λp | T=25-85°C, I=3.0A | 840 | 850 | 860 | nm |
| Wavelength Shift | dλ/dT | 0.07 | nm/°C | |||
| Conversion efficiency | PCE | T=25°C | 36 | % |
